• Zaloguj się
    Zaloguj się
  • Zarejestruj się
0
0 zł
Koszyk
info: Twój koszyk jest pusty!

Pamięci SO-DIMM

Pamięć Kingston DDR5, 16 GB, 4800MHz, CL40 (KCP548US8-16)

Indeks producenta: KCP548US8-16
Kategoria: Pamięci SO-DIMM
Dostępność: Na zapytanie
297,43 zł
brutto
Zapytaj o produkt

AFOX SO-DIMM DDR3 4GB 1600MHZ MICRON CHIP AFSD34BN1P

Indeks producenta: AFSD34BN1P
Kategoria: Pamięci SO-DIMM
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pamięć wewnętrzna
4 GB
Typ pamięci wewnętrznej
DDR3
Element dla
Notebook
Prędkość zegara pamięci
1600 Mhz
Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x)
1 x 4 GB
Obsługa kanałów pamięci
Pojedyńczy
Napięcie pamięci
1.5 V
Dostępność: Na zapytanie
Zapytaj o produkt

PATRIOT DDR3 8GB Ultrabook 1600MHz CL11 SO-DIMM

Indeks producenta: PSD38G1600L2S
Kategoria: Pamięci SO-DIMM
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
System operacyjny
Windows 7, Windows Vista, Windows XP, Windows 2000, Windows ME, Linux 2.4 +, Mac OS 9.X
Wymiary opakowania (SxGxW)
99,5 x 6,6 x 130,9 mm
Dostępność:
Zapytaj o produkt

Pamięć GoodRam GR2400S464L17S/8G GR2400S464L17S/8G (DDR4 SO-DIMM 1 x 8 GB 2400 MHz CL17)

Indeks producenta: GR2400S464L17S/8G
Kategoria: Pamięci SO-DIMM
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Szerokość produktu
69,6 mm
Wysokość produktu
30 mm
Typ pamięci wewnętrznej
DDR4
Element dla
Notebook
Rodzaj pamięci
260-pin SO-DIMM
Dostępność:
Zapytaj o produkt

Pamięć Crucial CT51264BF160B (DDR3 SO-DIMM 1 x 4 GB 1600 MHz CL11)

Indeks producenta: CT51264BF160B
Kategoria: Pamięci SO-DIMM
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Zakres temperatur (eksploatacja)
0 - 85 °C
Typ pamięci wewnętrznej
DDR3
Element dla
Notebook
Rodzaj pamięci
204-pin SO-DIMM
Dostępność: Na zapytanie
Zapytaj o produkt

Pamięć GoodRam GR1600S3V64L11/8G (DDR3 SO-DIMM 1 x 8 GB 1600 MHz CL11)

Indeks producenta: GR1600S3V64L11/8G
Kategoria: Pamięci SO-DIMM
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pamięć wewnętrzna
8 GB
Typ pamięci wewnętrznej
DDR3
Element dla
Notebook
Rodzaj pamięci
204-pin SO-DIMM
Prędkość zegara pamięci
1600 Mhz
Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x)
1 x 8 GB
Napięcie pamięci
1.35 V
Opóźnienie cas
11
Rodzaj chłodzenia
Radiator
Dostępność:
Zapytaj o produkt

Zestaw pamięci G.SKILL Ripjaws F4-3000C16D-32GRS (DDR4 SO-DIMM 2 x 16 GB 3000 MHz CL16)

Indeks producenta: F4-3000C16D-32GRS
Kategoria: Pamięci SO-DIMM
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pamięć wewnętrzna
32 GB
Typ pamięci wewnętrznej
DDR4
Element dla
Notebook
Rodzaj pamięci
260-pin SO-DIMM
Prędkość zegara pamięci
3000 Mhz
Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x)
2 x 16 GB
Obsługa kanałów pamięci
Podwójny
Napięcie pamięci
1.2 V
Opóźnienie cas
16
Dostępność: Na zapytanie
Zapytaj o produkt

G.SKILL RIPJAWS SO-DIMM DDR4 2X16GB 3200MHZ CL22 1,20V F4-3200C22D-32GRS

Indeks producenta: F4-3200C22D-32GRS
Kategoria: Pamięci SO-DIMM
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pamięć wewnętrzna
32 GB
Typ pamięci wewnętrznej
DDR4
Element dla
Notebook
Prędkość zegara pamięci
3200 Mhz
Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x)
2 x 16 GB
Obsługa kanałów pamięci
Dual-channel
Napięcie pamięci
1.2 V
Opóźnienie cas
22
Intel® Extreme Memory Profile (XMP) wersja
Tak
Dostępność:
Zapytaj o produkt

G.SKILL RIPJAWS SO-DIMM DDR4 2X8GB 2666MHZ CL18 1,20V F4-2666C18D-16GRS

Indeks producenta: F4-2666C18D-16GRS
Kategoria: Pamięci SO-DIMM
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Obsługiwane produkty
EVGA SC17, Intel NUC6i7KYK, MSI GT72 6QD
Dostępność: Na zapytanie
Zapytaj o produkt

G.SKILL RIPJAWS SO-DIMM DDR3 2X8GB 1866MHZ CL11 1,35V F3-1866C11D-16GRSL

Indeks producenta: F3-1866C11D-16GRSL
Kategoria: Pamięci SO-DIMM
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pamięć wewnętrzna
16 GB
Typ pamięci wewnętrznej
DDR3
Element dla
Notebook
Prędkość zegara pamięci
1866 Mhz
Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x)
2 x 8 GB
Obsługa kanałów pamięci
Dual-channel
Napięcie pamięci
1.35 V
Opóźnienie cas
11
Dostępność:
Zapytaj o produkt

KINGSTON DDR4 SODIMM 8GB 2933MHz CL21 1Rx16

Indeks producenta: KVR29S21S6/8
Kategoria: Pamięci SO-DIMM
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Zakres temperatur (eksploatacja)
0 - 85 °C
Zakres temperatur (przechowywanie)
-55 - 100 °C
Dostępność: Na zapytanie
Zapytaj o produkt

KINGSTON DDR4 SODIMM 8GB 2666MHz CL19 1Rx16

Indeks producenta: KVR26S19S6/8
Kategoria: Pamięci SO-DIMM
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Zakres temperatur (eksploatacja)
0 - 85 °C
Zakres temperatur (przechowywanie)
-55 - 100 °C
Dostępność:
Zapytaj o produkt

Pamięć Kingston KVR16LS11/4 (DDR3 SO-DIMM 1 x 4 GB 1600 MHz CL11)

Indeks producenta: KVR16LS11/4
Kategoria: Pamięci SO-DIMM
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pojemność pamięci wewnętrznej
4096 MB
Organizacja chipów
X8
Architektura pamięci
1 x 4096 MB
Wskazanie błędu
Nie
Szybkość licznika magistrali
1600 Mhz
Dostępność:
Zapytaj o produkt

G.SKILL RIPJAWS SO-DIMM DDR4 2X16GB 2666MHZ CL18 1,20V F4-2666C18D-32GRS

Indeks producenta: F4-2666C18D-32GRS
Kategoria: Pamięci SO-DIMM
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pamięć wewnętrzna
32 GB
Typ pamięci wewnętrznej
DDR4
Element dla
Notebook
Rodzaj pamięci
260-pin SO-DIMM
Prędkość zegara pamięci
2666 Mhz
Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x)
2 x 16 GB
Napięcie pamięci
1.2 V
Opóźnienie cas
18
Dostępność: Na zapytanie
Zapytaj o produkt

Silicon Power SODIMM DDR4 16GB 2666MHz CL19

Indeks producenta: SP016GBSFU266F02
Kategoria: Pamięci SO-DIMM
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pamięć wewnętrzna
16 GB
Certyfikaty
CE, FCC, Green dot, WEEE
Zgodność z RoHS
Tak
Typ pamięci wewnętrznej
DDR4
Element dla
PC/serwer
Rodzaj pamięci
260-pin SO-DIMM
Prędkość zegara pamięci
2400 Mhz
Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x)
1 x 16 GB
Napięcie pamięci
1.2 V
Opóźnienie cas
19
Kod korekcyjny
Nie
Dostępność: Na zapytanie
Zapytaj o produkt

Pamięć G.SKILL Ripjaws F3-1600C11S-4GRSL (DDR3 SO-DIMM 1 x 4 GB 1600 MHz CL11)

Indeks producenta: F3-1600C11S-4GRSL
Kategoria: Pamięci SO-DIMM
Dane techniczne
PKWiU
26.11.30.0
CN
85423239
Pamięć wewnętrzna
4 GB
Typ pamięci wewnętrznej
DDR3
Element dla
Notebook
Prędkość zegara pamięci
1600 Mhz
Rozkład pamięci (moduły rozmiaru x)
1 x 4 GB
Obsługa kanałów pamięci
Pojedyńczy
Napięcie pamięci
1.35 V
Opóźnienie cas
11
Dostępność:
Zapytaj o produkt